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SoC集成电路芯片
电源管理芯片
沟槽栅型场效应管(Trech MOSFETs)
  • RN6600D

  • RN6600D

    Dual N-Channel 16V(S-S) MOSFET ESD Protection Electrical CharacteristicsVDS=16VVGS=±10VID=10A(@TC=25°C）VGS（th）=0.35-1.4VRSS≤5.7mΩ @VGS=4.5VRSS≤8.3mΩ @VGS=3.1VRSS≤11.5mΩ @VGS=2.5V ApplicationsPower Managerment in Note BookBattery Powered System PackageCSP-6L
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商品描述
Dual N-Channel 16V(S-S) MOSFET ESD Protection Electrical CharacteristicsVDS=16VVGS=±10VID=10A(@TC=25°C）VGS（th）=0.35-1.4VRSS≤5.7mΩ @VGS=4.5VRSS≤8.3mΩ @VGS=3.1VRSS≤11.5mΩ @VGS=2.5V ApplicationsPower Managerment in Note BookBattery Powered System PackageCSP-6L
屏蔽栅型场效应管(Trech MOSFETs)
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